行业动态

QT2晶体管图示仪再升级QT2B

上海新建晶体管图示仪QT2B

QT2B

QT2A

QT-2B 半导体管特性图示仪 显示屏(CRT )上刻度采用 8X 10

采用的示波管型号没变,原仪器型号变更为QT2B型,示波

管的更换不影响使用.测试器件所获取的数据是相同不变的。

不同处是:在面板校准吋,原Y轴刻度为10格时,Y、X轴以

10格为标准校准。 现Y轴刻度改为8格,Y、X轴 以5格为标准

行校堆。

QT-2B半导体管特性图示仪显示屏(CRT)上刻度采用10X10


* QT-2B半导体管特性图示仪可根据需要测量半导体二极管、三极管的低频直流参数,*大集电极电流可 50A

基本满足功率500W以下的半导体管的测试。

* 本仪器还附有高压的测试装置,可对5000V以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试,

其测试电流*高灵敏度达到0.5uA/度。

* 本仪器所提供的基极阶梯信号还具有脉冲阶梯输出,因此可扩大测量范围及对二次击穿特性的测量。

* 本仪器带阶梯偏置电压(VB)-6V+6V连续可调。特别适宜大功率VMOS管测试。

1.集电极电流偏转系数

a)集电极电流范围(Ic)1μA/度~ ** /度。按125进制分21档级,各档误差不大于3%。

b)二极管电流范围(ID)1μA/度~500μA/度。125进制分9档,各档误差不大于3%。

c)集电极电流及二极管电流倍率×0.5,误差不大于10%。

d)基极电流或基极源电压0.1V/度,误差不大于3%。

2.集电极电压偏转系数

a)集电极电压范围(Uc)10mV/度~50V/度。按125进制分21档级,各档误差不大于3%。

b)二极管电压范围(UD)100V/度~500V/度。按125进制分3档级,各档误差不大于10%。

c)基极电压范围(UBE)10mV/度~1V/度按125进制分7档级,各档误差不大于3%。

d)基极电流或基极源电压:0.05V/度,误差不大于3%。

3.基极阶梯信号

a)阶梯电流范围(IB)10uA/度~200mA/度。按125进制分17档级,各档误差不大于5%。

b)阶梯电压范围(UB)50mV/度~1V/度。按125进制分5档级,各档误差不大于5%。

c)串联电阻:0Ω、10KΩ、100KΩ,各档误差不大于10%。

d)阶梯波形:分正常(100%)及脉冲二档。脉冲阶梯占空比调节范围为1040%

e)每簇级数:010级,连续可调。

f)阶梯偏置电压(VB)-6V+6V,连续可调。

g)阶梯作用:分重复、关、单次三档级。

h)阶梯输入:分正常、零电流、零电压三档级。

i)阶梯极性:分正、负二档。

4.集电极扫描电压

a)输出电压与档级:010V正或负连续可调

050V正或负连续可调

050V正或负连续可调

0100V正或负连续可调

0500V正或负连续可调

b)输出电流容量:010V 50A (脉冲阶梯工作状态时)

010V 20A (平均值)

050V 10A (平均值)

0100V ** (平均值)

0500V 0.** (平均值)

c)功耗限制电阻:0500KΩ 按125进制分20档级,各档误差不大于10%。

d)整流方式:全波

e)输出极性:+,-

f)集电极容性电流; 平衡后不超过2uA10V档)

g)集电极漏电流;平衡后不超过2uA10V档)

5.二极管测试装置

a)输出电压:05000V正向连续可调

b)输出电流容量:*大为5mA

c)整流方式:半波

6.其他

a)适配器

高压测试座、三极管测试座、功率三极管测试座

b)重量 30kg

c)外形尺寸

300mm × 408mm × 520mm W×H×D)。

d)功耗:非测试状态时: 约80VA

*大功率时:300VA

e)输入电压:220V±10%;

f)频率:50HZ±5%。

g)示波管:15SJ118-DC有效工作面8× 10cm

h)电磁兼容性

传导干扰应符合GB/T 6833.9中第1章的要求。

辐射干扰应符合GB/T 6833.10中第1章的要求。

环境应符合GB/T 6587.1中Ⅱ级仪器的规定,运输试验按2级。

沪公网安备 31010102004821号

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