S3030F新品发布3500V高压精密源表

S3030F新品发布3500V高压精密源表

导读：

功率半导体器件(Power Semiconductor Device)是电力电子装置实现电能转换、电源管理的核心器件，主要功能有变频、变压、整流、功率转换和管理等，电压处理范围从几十伏到几千伏，电流能力*高可达几千安培。联讯仪器3500V 高压源表S3030F 设计用于高压电子和功率半导体器件的特性测试以及其他一些需要高压和高精度测量的元器件和材料的表征。

1特点优势

S3030F能够提供*大±3500V、±120mA（直流）、*大10 GΩ电阻测量范围及*大180W 功率输出, 广泛地应用在功率半导体特性，GaN、SiC表征，复合材料，高压漏电流等测试和研究领域

1>高压大功率

±3500V/±120mA（直流）/180W

2>高精度测量

测量分辨率高达1fA/100uV

3>高速测量

*高1M的ADC采样率

4>支持超大电阻测量

*大电阻测量范围10GΩ

2高压源表应用举例

1>SiC MOSFET漏极截止电流测试IDSS

IDSS:当在栅极和源极短路的情况下在漏极与源极之间施加指定电压时产生的漏电流

SiC MOSFET IDSS测试：

短路栅极和源极，利用高压源表在漏极和源极之间进行电压扫描，如上图所示，源表设置扫描电压从400V开始，按照200V的步进扫描到1400V,电压扫描的同时源表**测量IDSS

2> SiC MOSFET漏源击穿电压测试V(BR)DSS实物V (BR)DSS：漏-源击穿电压(破坏电压),在栅极和源极短路的情况下, 流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压

SiC MOSFET V (BR)DSS测试：在栅极和源极短路的情况下，利用高压源表在漏极和源极之间进行电流扫描，如上图所示，利用List扫描功能，扫描电流源输出20 uA，200 uA,1000 uA,5000 uA,10000 uA，扫描同时利用高压源表测量VDS两端电压。